IAUA210N10S5N024AUMA1 Infineon Technologies

Symbol Micros: TIAUA210N10S5N024AUMA1
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PG-HSOF-5-4
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MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5 transistors - fets, mosfets - single
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,4mOhm
Max. Drainstrom: 210A
Maximaler Leistungsverlust: 238W
Gehäuse: PG-HSOF-5
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 2,4mOhm
Max. Drainstrom: 210A
Maximaler Leistungsverlust: 238W
Gehäuse: PG-HSOF-5
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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