IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies

Symbol Micros: TIGB10n60t
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
Trans IGBT ; 600V; 20V; 24A; 30A; 110W; 4,1V~5,7V; 62nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IGB10N60T;
Parameter
Gate-Ladung: 62nC
Maximale Verlustleistung: 110W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 30A
Max. Kollektor-Strom: 24A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,1V ~ 5,7V
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IGB10N60TATMA1 RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK) Datenblatt
Auf Lager:
27 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,4250 0,9970 0,8489 0,7760 0,7501
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Gate-Ladung: 62nC
Maximale Verlustleistung: 110W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 30A
Max. Kollektor-Strom: 24A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,1V ~ 5,7V
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: Infineon Technologies
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 175°C
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Gate - Emitter Spannung: 20V

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole