IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies
Symbol Micros:
TIGB10n60t
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Trans IGBT ; 600V; 20V; 24A; 30A; 110W; 4,1V~5,7V; 62nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IGB10N60T;
Parameter
| Gate-Ladung: | 62nC |
| Maximale Verlustleistung: | 110W |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 30A |
| Max. Kollektor-Strom: | 24A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,1V ~ 5,7V |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IGB10N60TATMA1 RoHS
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Datenblatt
Auf Lager:
27 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,4326 | 1,0023 | 0,8534 | 0,7801 | 0,7541 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IGB10N60TATMA1
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
1000 stk.
| Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7541 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IGB10N60TATMA1
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
1230 stk.
| Anzahl Stück | 5+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7541 |
| Gate-Ladung: | 62nC |
| Maximale Verlustleistung: | 110W |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 30A |
| Max. Kollektor-Strom: | 24A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,1V ~ 5,7V |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 175°C |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
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