IGD06N60TATMA1 Infineon Technologies
Symbol Micros:
TIGD06n60t
Gehäuse: TO252/3 (DPAK)
Trans IGBT ; 600V; 20V; 12A; 18A; 88W; 4,1V~5,7V; 42nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IGD06N60TXT;
Parameter
Gate-Ladung: | 42nC |
Maximale Verlustleistung: | 88W |
Max. Kollektor-Strom: | 12A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 18A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,1V ~ 5,7V |
Gehäuse: | TO252/3 (DPAK) |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IGD06N60TATMA1 RoHS
Gehäuse: TO252/3 (DPAK)
Datenblatt
Auf Lager:
80 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ |
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Nettopreis (EUR) | 1,1024 | 0,7342 | 0,6075 | 0,5489 | 0,5254 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IGD06N60T
Gehäuse: TO252/3 (DPAK)
Externes Lager:
2400 stk.
Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,5254 |
Gate-Ladung: | 42nC |
Maximale Verlustleistung: | 88W |
Max. Kollektor-Strom: | 12A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 18A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,1V ~ 5,7V |
Gehäuse: | TO252/3 (DPAK) |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 175°C |
Gate - Emitter Spannung: | 20V |
Montage: | SMD |
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