IGP30N60H3

Symbol Micros: TIGP30n60h3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 60A; 120A; 187W; 4,1V~5,7V; 165nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IGP30N60H3XKSA1;
Parameter
Gate-Ladung: 165nC
Maximale Verlustleistung: 187W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 120A
Max. Kollektor-Strom: 60A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,1V ~ 5,7V
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IGP30N60H3XKSA1 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,8318 1,5355 1,3662 1,2604 1,2204
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IGP30N60H3 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
8 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,8318 1,5355 1,3662 1,2604 1,2204
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Standard-Verpackung:
50
Gate-Ladung: 165nC
Maximale Verlustleistung: 187W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 120A
Max. Kollektor-Strom: 60A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,1V ~ 5,7V
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon Technologies
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 175°C
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT

Symbol Micros

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