IGW15N120H3FKSA1
Symbol Micros:
TIGW15n120h3
Gehäuse: TO247
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IGW15N120H3;
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Parameter
Gate-Ladung: | 75nC |
Maximale Verlustleistung: | 217W |
Max. Kollektor-Strom: | 30A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 60A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 5,0V ~ 6,5V |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Gate-Ladung: | 75nC |
Maximale Verlustleistung: | 217W |
Max. Kollektor-Strom: | 30A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 60A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 5,0V ~ 6,5V |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 175°C |
Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200V |
Gate - Emitter Spannung: | 20V |
Montage: | SMD |
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