IGW15N120H3FKSA1

Symbol Micros: TIGW15n120h3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IGW15N120H3;

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Parameter
Gate-Ladung: 75nC
Maximale Verlustleistung: 217W
Max. Kollektor-Strom: 30A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 60A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 5,0V ~ 6,5V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Gate-Ladung: 75nC
Maximale Verlustleistung: 217W
Max. Kollektor-Strom: 30A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 60A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 5,0V ~ 6,5V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 175°C
Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: SMD