IGW40N60H3FKSA1

Symbol Micros: TIGW40n60h3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 160A; 306W; 4,1V~5,7V; 223nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IGW40N60H3;

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Parameter
Gate-Ladung: 223nC
Maximale Verlustleistung: 306W
Max. Kollektor-Strom: 80A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 160A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,1V ~ 5,7V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IGW40N60H3FKSA1 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Nettopreis (EUR) 3,0988 2,7530 2,5468 2,4415 2,3842
Standard-Verpackung:
30
Gate-Ladung: 223nC
Maximale Verlustleistung: 306W
Max. Kollektor-Strom: 80A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 160A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,1V ~ 5,7V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 175°C
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT