IGW40N60H3FKSA1
Symbol Micros:
TIGW40n60h3
Gehäuse: TO247
Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 160A; 306W; 4,1V~5,7V; 223nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IGW40N60H3;
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Parameter
Gate-Ladung: | 223nC |
Maximale Verlustleistung: | 306W |
Max. Kollektor-Strom: | 80A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 160A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,1V ~ 5,7V |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Gate-Ladung: | 223nC |
Maximale Verlustleistung: | 306W |
Max. Kollektor-Strom: | 80A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 160A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,1V ~ 5,7V |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 175°C |
Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
Gate - Emitter Spannung: | 20V |
Montage: | THT |
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