IGW40N60H3FKSA1

Symbol Micros: TIGW40n60h3

Gehäuse: TO247

Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 160A; 306W; 4,1V~5,7V; 223nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IGW40N60H3;

Parameter

Gate-Ladung:	223nC
Maximale Verlustleistung:	306W
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	160A
Max. Kollektor-Strom:	80A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	4,1V ~ 5,7V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon Technologies

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IGW40N60H3FKSA1 Gehäuse: TO247

Externes Lager:

370 stk.

Anzahl Stück	1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	4,3373

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IGW40N60H3FKSA1 Gehäuse: TO247

Externes Lager:

540 stk.

Anzahl Stück	60+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	1,9736

Gate-Ladung:	223nC
Maximale Verlustleistung:	306W
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	160A
Max. Kollektor-Strom:	80A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	4,1V ~ 5,7V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon Technologies
Kollektor-Emitter-Spannung:	600V
Betriebstemperatur (Bereich):	-40°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung:	20V
Montage:	THT