IGW40N65F5

Symbol Micros: TIGW40n65f5
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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Trans IGBT ; 650V; 20V; 74A; 120A; 250W; 3,2V~4,8V; 95nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IGW40N65F5FKSA1;
Parameter
Gate-Ladung: 95nC
Maximale Verlustleistung: 250W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 120A
Max. Kollektor-Strom: 74A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,2V ~ 4,8V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IGW40N65F5FKSA1 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Nettopreis (EUR) 3,6518 3,0710 2,7206 2,5490 2,4502
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Standard-Verpackung:
30
Gate-Ladung: 95nC
Maximale Verlustleistung: 250W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 120A
Max. Kollektor-Strom: 74A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,2V ~ 4,8V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 175°C
Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT

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