IGW50N65F5FKSA1

Name: TIGW50n65f5 TIGW50n65f5
Brand: Infineon
SKU: TIGW50n65f5
Price: 4.2004 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIGW50n65f5

Gehäuse: TO247

Trans IGBT ; 650V; 20V; 80A; 150A; 305W; 3,2V~4,8V; 120nC; -40°C~175°C;

Parameter

Gate-Ladung:	120nC
Maximale Verlustleistung:	305W
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	150A
Max. Kollektor-Strom:	80A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	3,2V ~ 4,8V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon Technologies

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IGW50N65F5FKSA1 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt

Auf Lager:

50 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	30+	60+	120+
Nettopreis (EUR)	5,0410	4,5262	4,2831	4,2358	4,2004

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IGW50N65F5FKSA1 Gehäuse: TO247

Externes Lager:

2290 stk.

Anzahl Stück	90+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	4,2004

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IGW50N65F5FKSA1 Gehäuse: TO247

Externes Lager:

58 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	4,2004

Gate-Ladung:	120nC
Maximale Verlustleistung:	305W
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	150A
Max. Kollektor-Strom:	80A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	3,2V ~ 4,8V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon Technologies
Betriebstemperatur (Bereich):	-40°C ~ 175°C
Kollektor-Emitter-Spannung:	650V
Gate - Emitter Spannung:	20V
Montage:	SMD