IGW50N65F5FKSA1

Symbol Micros: TIGW50n65f5
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
Trans IGBT ; 650V; 20V; 80A; 150A; 305W; 3,2V~4,8V; 120nC; -40°C~175°C;

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Parameter
Gate-Ladung: 120nC
Maximale Verlustleistung: 305W
Max. Kollektor-Strom: 80A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 150A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,2V ~ 4,8V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IGW50N65F5FKSA1 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 60+ 120+
Nettopreis (EUR) 4,9371 4,4330 4,1948 4,1486 4,1139
Standard-Verpackung:
30/60
Gate-Ladung: 120nC
Maximale Verlustleistung: 305W
Max. Kollektor-Strom: 80A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 150A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,2V ~ 4,8V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 175°C
Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: SMD