IGW50N65F5FKSA1
Symbol Micros:
TIGW50n65f5
Gehäuse: TO247
Trans IGBT ; 650V; 20V; 80A; 150A; 305W; 3,2V~4,8V; 120nC; -40°C~175°C;
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Parameter
Gate-Ladung: | 120nC |
Maximale Verlustleistung: | 305W |
Max. Kollektor-Strom: | 80A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 150A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,2V ~ 4,8V |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Gate-Ladung: | 120nC |
Maximale Verlustleistung: | 305W |
Max. Kollektor-Strom: | 80A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 150A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 3,2V ~ 4,8V |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 175°C |
Kollektor-Emitter-Spannung: | 650V |
Gate - Emitter Spannung: | 20V |
Montage: | SMD |
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