IGW60T120FKSA1

Symbol Micros: TIGW60t120

Gehäuse: TO247

Trans IGBT ; 1200V; 20V; 100A; 150A; 375W; 5,0V~6,5V; 280nC; -40°C~150°C; Äquivalent: IGW60T120FKSA1; IGW60T120;

Parameter

Gate-Ladung:	280nC
Maximale Verlustleistung:	375W
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	150A
Max. Kollektor-Strom:	100A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	5,0V ~ 6,5V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon Technologies

Gate-Ladung:	280nC
Maximale Verlustleistung:	375W
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	150A
Max. Kollektor-Strom:	100A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	5,0V ~ 6,5V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon Technologies
Kollektor-Emitter-Spannung:	1200V
Betriebstemperatur (Bereich):	-40°C ~ 150°C
Gate - Emitter Spannung:	20V
Montage:	THT