IHW20N135R5XKSA1

Symbol Micros: TIHW20n135r5
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
Transistor IGBT ; 1350V; 20V; 40A; 60A; 288W; 5,1V~6,4V; 170nC; -40°C~175°C; IHW20N135R5XKSA1;
Parameter
Gate-Ladung: 170nC
Maximale Verlustleistung: 288W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 60A
Max. Kollektor-Strom: 40A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 5,1V ~ 6,4V
Gehäuse: TO247
Hersteller: INFINEON
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IHW20N135R5XKSA1 Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
1350 stk.
Anzahl Stück 90+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,3661
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IHW20N135R5XKSA1 Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
515 stk.
Anzahl Stück 5+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 2,4265
Standard-Verpackung:
5
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IHW20N135R5XKSA1 Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
3330 stk.
Anzahl Stück 480+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,3851
Standard-Verpackung:
240
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Gate-Ladung: 170nC
Maximale Verlustleistung: 288W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 60A
Max. Kollektor-Strom: 40A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 5,1V ~ 6,4V
Gehäuse: TO247
Hersteller: INFINEON
Kollektor-Emitter-Spannung: 1350V
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT