IHW30N135R5

Symbol Micros: TIHW30n135r5
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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Transistor IGBT; 1350V; 20V; 60A; 90A; 330W; 5,1V~6,4V; 235nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IHW30N135R5XKSA1;
Parameter
Gate-Ladung: 235nC
Maximale Verlustleistung: 330W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 90A
Max. Kollektor-Strom: 60A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 5,1V ~ 6,4V
Gehäuse: TO247
Hersteller: INFINEON
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IHW30N135R5 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
227 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 120+ 240+
Nettopreis (EUR) 2,2747 1,8034 1,5985 1,5347 1,5165
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Standard-Verpackung:
30
Gate-Ladung: 235nC
Maximale Verlustleistung: 330W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 90A
Max. Kollektor-Strom: 60A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 5,1V ~ 6,4V
Gehäuse: TO247
Hersteller: INFINEON
Kollektor-Emitter-Spannung: 1350V
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT

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