IHW30N160R5

Symbol Micros: TIHW30n160r5
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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Trans IGBT ; 1600V; 20V; 60A; 90A; 263W; 4,5V~5,8V; 205nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IHW30N160R5XKSA1;
Parameter
Gate-Ladung: 205nC
Maximale Verlustleistung: 263W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 90A
Max. Kollektor-Strom: 60A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,5V ~ 5,8V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IHW30N160R5XKSA1 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
90 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 90+ 180+
Nettopreis (EUR) 2,6143 2,1531 1,9453 1,8905 1,8677
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Standard-Verpackung:
30/90
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IHW30N160R5XKSA1 Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
496 stk.
Anzahl Stück 1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 2,6047
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IHW30N160R5XKSA1 Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
870 stk.
Anzahl Stück 90+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,8677
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Gate-Ladung: 205nC
Maximale Verlustleistung: 263W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 90A
Max. Kollektor-Strom: 60A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,5V ~ 5,8V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Kollektor-Emitter-Spannung: 1600V
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 175°C
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT

Symbol Micros

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