IHW30N160R5
Symbol Micros:
TIHW30n160r5
Gehäuse: TO247
Trans IGBT ; 1600V; 20V; 60A; 90A; 263W; 4,5V~5,8V; 205nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IHW30N160R5XKSA1;
Parameter
Gate-Ladung: | 205nC |
Maximale Verlustleistung: | 263W |
Max. Kollektor-Strom: | 60A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 90A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,5V ~ 5,8V |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IHW30N160R5XKSA1
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
98310 stk.
Anzahl Stück | 240+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 2,1472 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IHW30N160R5XKSA1
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
58 stk.
Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 2,8910 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IHW30N160R5XKSA1
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
976 stk.
Anzahl Stück | 60+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 2,0330 |
Gate-Ladung: | 205nC |
Maximale Verlustleistung: | 263W |
Max. Kollektor-Strom: | 60A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 90A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,5V ~ 5,8V |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Kollektor-Emitter-Spannung: | 1600V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 175°C |
Gate - Emitter Spannung: | 20V |
Montage: | THT |
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