IHW30N160R5

Symbol Micros: TIHW30n160r5

Gehäuse: TO247

Trans IGBT ; 1600V; 20V; 60A; 90A; 263W; 4,5V~5,8V; 205nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IHW30N160R5XKSA1;

Parameter

Gate-Ladung:	205nC
Maximale Verlustleistung:	263W
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	90A
Max. Kollektor-Strom:	60A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	4,5V ~ 5,8V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon Technologies

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IHW30N160R5XKSA1 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt

Auf Lager:

19 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	30+	90+
Nettopreis (EUR)	3,4637	3,0780	2,8453	2,7300	2,6642

Gate-Ladung:	205nC
Maximale Verlustleistung:	263W
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	90A
Max. Kollektor-Strom:	60A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	4,5V ~ 5,8V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon Technologies
Betriebstemperatur (Bereich):	-40°C ~ 175°C
Kollektor-Emitter-Spannung:	1600V
Gate - Emitter Spannung:	20V
Montage:	THT