IHW30N160R5

Symbol Micros: TIHW30n160r5
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
Trans IGBT ; 1600V; 20V; 60A; 90A; 263W; 4,5V~5,8V; 205nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IHW30N160R5XKSA1;
Parameter
Gate-Ladung: 205nC
Maximale Verlustleistung: 263W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 90A
Max. Kollektor-Strom: 60A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,5V ~ 5,8V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IHW30N160R5XKSA1 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
19 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Nettopreis (EUR) 3,4822 3,0945 2,8605 2,7446 2,6784
Standard-Verpackung:
30
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IHW30N160R5XKSA1 Gehäuse: TO247  
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130470 stk.
Anzahl Stück 240+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 2,6784
Standard-Verpackung:
240
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IHW30N160R5XKSA1 Gehäuse: TO247  
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203 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 2,6784
Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-01-31
Anzahl Stück: 30
Gate-Ladung: 205nC
Maximale Verlustleistung: 263W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 90A
Max. Kollektor-Strom: 60A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,5V ~ 5,8V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 175°C
Kollektor-Emitter-Spannung: 1600V
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT