IKA10N65ET6XKSA2 Infineon Technologies

Symbol Micros: TIKA10n65et6
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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IGBT 650V 15A TO220-3 TrenchStop -40+175°C
Parameter
Gate-Ladung: 27nC
Maximale Verlustleistung: 40W
Max. Kollektor-Strom: 15A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 42,5A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,8V ~ 6,4V
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: INFINEON
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKA10N65ET6XKSA2 RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,6574 1,3207 1,1301 1,0170 0,9747
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKA10N65ET6XKSA2 Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
182 stk.
Anzahl Stück 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,9747
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Gate-Ladung: 27nC
Maximale Verlustleistung: 40W
Max. Kollektor-Strom: 15A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 42,5A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,8V ~ 6,4V
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: INFINEON
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 175°C
Kollektor-Emitter-Spannung: 650V
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: SMD

Symbol Micros

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