IKD06N60RF

Name: TIKD06n60rf TIKD06n60rf
Brand: Infineon
SKU: TIKD06n60rf
Price: 0.4600 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIKD06n60rf

Gehäuse: TO252 (DPAK)

IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 12A; 18A; 100W; 4,3V~5,7V; 48nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IKD06N60RFAATMA1;

Parameter

Gate-Ladung:	48nC
Maximale Verlustleistung:	100W
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	18A
Max. Kollektor-Strom:	12A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	4,3V ~ 5,7V
Gehäuse:	TO252 (DPAK)
Hersteller:	Infineon Technologies

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKD06N60RF RoHS Gehäuse: TO252 (DPAK) t/r Datenblatt

Auf Lager:

100 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	500+
Nettopreis (EUR)	0,9662	0,6426	0,5316	0,4785	0,4600

Gate-Ladung:	48nC
Maximale Verlustleistung:	100W
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	18A
Max. Kollektor-Strom:	12A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	4,3V ~ 5,7V
Gehäuse:	TO252 (DPAK)
Hersteller:	Infineon Technologies
Betriebstemperatur (Bereich):	-40°C ~ 175°C
Kollektor-Emitter-Spannung:	600V
Gate - Emitter Spannung:	20V
Montage:	SMD