IKP15N60T

Symbol Micros: TIKP15n60t
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 26A; 45A; 130W; 4,1V~5,7V; 87nC; -40°C~175°C; IKP15N60TXKSA1
Parameter
Gate-Ladung: 87nC
Maximale Verlustleistung: 130W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 45A
Max. Kollektor-Strom: 26A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,1V ~ 5,7V
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKP15N60TXKSA1 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
85 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,7542 1,3027 1,0840 1,0582 1,0323
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Standard-Verpackung:
50/100
Gate-Ladung: 87nC
Maximale Verlustleistung: 130W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 45A
Max. Kollektor-Strom: 26A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,1V ~ 5,7V
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon Technologies
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 175°C
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT

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