IKP20N60T
Symbol Micros:
TIKP20n60t
Gehäuse: TO220
IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 41A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IKP20N60TXKSA1;
Parameter
| Gate-Ladung: | 120nC |
| Maximale Verlustleistung: | 166W |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 60A |
| Max. Kollektor-Strom: | 41A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,1V ~ 5,7V |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Gate-Ladung: | 120nC |
| Maximale Verlustleistung: | 166W |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 60A |
| Max. Kollektor-Strom: | 41A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,1V ~ 5,7V |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 175°C |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
| Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole