IKQB200N75CP2AKSA1

Symbol Micros: TIKQB200N75CP2AKSA1
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
Transistor IGBT ; 750V; 20V; 200A; 600A; 937W; 5V~6,5V; 797nC; -40°C~175°C;
Parameter
Gate-Ladung: 797nC
Maximale Verlustleistung: 937W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 600A
Max. Kollektor-Strom: 200A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 5,0V ~ 6,5V
Gehäuse: TO247
Hersteller: INFINEON
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Gate-Ladung: 797nC
Maximale Verlustleistung: 937W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 600A
Max. Kollektor-Strom: 200A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 5,0V ~ 6,5V
Gehäuse: TO247
Hersteller: INFINEON
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 175°C
Kollektor-Emitter-Spannung: 750V
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT