IKW15N120H3FKSA1

Symbol Micros: TIKW15n120h3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3;
Parameter
Gate-Ladung: 75nC
Maximale Verlustleistung: 217W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 60A
Max. Kollektor-Strom: 30A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 5,0V ~ 6,5V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW15N120H3 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
Nettopreis (EUR) 3,8117 3,2779 3,0686 2,9581 2,9323
Standard-Verpackung:
20
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW15N120H3FKSA1 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
5 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
Nettopreis (EUR) 3,8117 3,2779 3,0686 2,9581 2,9323
Standard-Verpackung:
10
Gate-Ladung: 75nC
Maximale Verlustleistung: 217W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 60A
Max. Kollektor-Strom: 30A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 5,0V ~ 6,5V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 175°C
Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT