IKW15N120H3FKSA1

Name: TIKW15n120h3 TIKW15n120h3
Brand: Infineon
SKU: TIKW15n120h3
Price: 3.1110 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIKW15n120h3

Gehäuse: TO247

Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 60A; 217W; 5,0V~6,5V; 75nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IKW15N120H3FKSA1; IKW15N120H3;

Parameter

Gate-Ladung:	75nC
Maximale Verlustleistung:	217W
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	60A
Max. Kollektor-Strom:	30A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	5,0V ~ 6,5V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon Technologies

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW15N120H3FKSA1 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt

Auf Lager:

5 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	200+
Nettopreis (EUR)	3,8321	3,2954	3,0850	2,9739	2,9479

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW15N120H3 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt

Auf Lager:

10 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	200+
Nettopreis (EUR)	3,8321	3,2954	3,0850	2,9739	2,9479

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW15N120H3FKSA1 Gehäuse: TO247

Externes Lager:

400 stk.

Anzahl Stück	90+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	2,9479

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW15N120H3FKSA1 Gehäuse: TO247

Externes Lager:

84 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	2,9479

Gate-Ladung:	75nC
Maximale Verlustleistung:	217W
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	60A
Max. Kollektor-Strom:	30A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	5,0V ~ 6,5V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon Technologies
Betriebstemperatur (Bereich):	-40°C ~ 175°C
Kollektor-Emitter-Spannung:	1200V
Gate - Emitter Spannung:	20V
Montage:	THT