IKW15T120

Symbol Micros: TIKW15t120

Gehäuse: TO247

Trans IGBT ; 1200V; 20V; 30A; 45A; 110W; 5,0V~6,5V; 85nC; -40°C~150°C; Äquivalent: IKW15T120FKSA1;

Parameter

Gate-Ladung:	85nC
Maximale Verlustleistung:	110W
Max. Kollektor-Strom:	30A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	45A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	5,0V ~ 6,5V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon Technologies

Gate-Ladung:	85nC
Maximale Verlustleistung:	110W
Max. Kollektor-Strom:	30A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	45A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	5,0V ~ 6,5V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon Technologies
Betriebstemperatur (Bereich):	-40°C ~ 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung:	1200V
Gate - Emitter Spannung:	20V
Montage:	THT