IKW20N60T

Name: TIKW20n60t TIKW20n60t
Brand: Infineon
SKU: TIKW20n60t
Price: 2.4562 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIKW20n60t

Gehäuse: TO247

IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 40A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IKW20N60TFKSA1;

Parameter

Gate-Ladung:	120nC
Maximale Verlustleistung:	166W
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	60A
Max. Kollektor-Strom:	40A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	4,1V ~ 5,7V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon Technologies

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW20N60TFKSA1 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt

Auf Lager:

10 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	30+	90+
Nettopreis (EUR)	3,6595	3,0779	2,7281	2,5531	2,4562

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW20N60TFKSA1 Gehäuse: TO247

Externes Lager:

247 stk.

Anzahl Stück	120+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	2,4562

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW20N60TFKSA1 Gehäuse: TO247

Externes Lager:

119 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	2,4562

Gate-Ladung:	120nC
Maximale Verlustleistung:	166W
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	60A
Max. Kollektor-Strom:	40A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	4,1V ~ 5,7V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon Technologies
Betriebstemperatur (Bereich):	-40°C ~ 175°C
Kollektor-Emitter-Spannung:	600V
Gate - Emitter Spannung:	20V
Montage:	THT