IKW20N60T

Symbol Micros: TIKW20n60t
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 40A; 60A; 166W; 4,1V~5,7V; 120nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IKW20N60TFKSA1;
Parameter
Gate-Ladung: 120nC
Maximale Verlustleistung: 166W
Max. Kollektor-Strom: 40A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 60A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,1V ~ 5,7V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW20N60TFKSA1 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Nettopreis (EUR) 3,6743 3,0904 2,7391 2,5634 2,4661
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Standard-Verpackung:
30
Gate-Ladung: 120nC
Maximale Verlustleistung: 166W
Max. Kollektor-Strom: 40A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 60A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,1V ~ 5,7V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 175°C
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT

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