IKW25N120T2

Symbol Micros: TIKW25n120t2
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 349W; 5,2V~6,4V; 120nC; -40°C~175°C;
Parameter
Gate-Ladung: 120nC
Maximale Verlustleistung: 349W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 100A
Max. Kollektor-Strom: 50A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 5,2V ~ 6,4V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW25N120T2FKSA1 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
6 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Nettopreis (EUR) 6,0926 5,1238 4,5430 4,2514 4,0892
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Standard-Verpackung:
30
Gate-Ladung: 120nC
Maximale Verlustleistung: 349W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 100A
Max. Kollektor-Strom: 50A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 5,2V ~ 6,4V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 175°C
Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT

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