IKW25N120T2
Symbol Micros:
TIKW25n120t2
Gehäuse: TO247
IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 50A; 100A; 349W; 5,2V~6,4V; 120nC; -40°C~175°C;
Parameter
| Gate-Ladung: | 120nC |
| Maximale Verlustleistung: | 349W |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 100A |
| Max. Kollektor-Strom: | 50A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 5,2V ~ 6,4V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IKW25N120T2FKSA1 RoHS
Gehäuse: TO247
Datenblatt
Auf Lager:
6 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 90+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 4,0795 | 3,6234 | 3,3507 | 3,2132 | 3,1375 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IKW25N120T2FKSA1
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
524 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 7,0290 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IKW25N120T2FKSA1
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
990 stk.
| Anzahl Stück | 60+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 3,1375 |
| Gate-Ladung: | 120nC |
| Maximale Verlustleistung: | 349W |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 100A |
| Max. Kollektor-Strom: | 50A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 5,2V ~ 6,4V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 175°C |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
| Montage: | THT |
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