IKW25T120

Symbol Micros: TIKW25t120
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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Trans IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 75A; 190W; 5,0V~6,5V; 155nC; -40°C~150°C; Äquivalent: IKW25T120FKSA1 INFINEON;
Parameter
Gate-Ladung: 155nC
Maximale Verlustleistung: 190W
Max. Kollektor-Strom: 50A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 75A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 5,0V ~ 6,5V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW25T120FKSA1 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 4,4741 3,9781 3,6790 3,5318 3,4416
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Standard-Verpackung:
10
Gate-Ladung: 155nC
Maximale Verlustleistung: 190W
Max. Kollektor-Strom: 50A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 75A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 5,0V ~ 6,5V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT

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