IKW25T120

Symbol Micros: TIKW25t120
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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Trans IGBT ; 1200V; 20V; 50A; 75A; 190W; 5,0V~6,5V; 155nC; -40°C~150°C; Äquivalent: IKW25T120FKSA1 INFINEON;
Parameter
Gate-Ladung: 155nC
Maximale Verlustleistung: 190W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 75A
Max. Kollektor-Strom: 50A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 5,0V ~ 6,5V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW25T120FKSA1 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 4,4562 3,9621 3,6642 3,5176 3,4278
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Standard-Verpackung:
10
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW25T120FKSA1 Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
150 stk.
Anzahl Stück 60+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 3,4278
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Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Gate-Ladung: 155nC
Maximale Verlustleistung: 190W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 75A
Max. Kollektor-Strom: 50A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 5,0V ~ 6,5V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT

Symbol Micros

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