IKW40N120H3

Symbol Micros: TIKW40n120h3

Gehäuse: TO247

IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 483W; 5,0V~6,5V; 185nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IKW40N120H3FKSA1;

Parameter

Gate-Ladung:	185nC
Maximale Verlustleistung:	483W
Max. Kollektor-Strom:	80A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	160A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	5,0V ~ 6,5V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon Technologies

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW40N120H3 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt

Auf Lager:

50 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	30+	90+
Nettopreis (EUR)	5,0391	4,6403	4,3939	4,2696	4,1992

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW40N120H3FKSA1 Gehäuse: TO247

Externes Lager:

9010 stk.

Anzahl Stück	240+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	4,1992

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW40N120H3FKSA1 Gehäuse: TO247

Externes Lager:

251 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	4,8752

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW40N120H3FKSA1 Gehäuse: TO247

Externes Lager:

10771 stk.

Anzahl Stück	60+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	4,1992

Gate-Ladung:	185nC
Maximale Verlustleistung:	483W
Max. Kollektor-Strom:	80A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	160A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	5,0V ~ 6,5V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon Technologies
Betriebstemperatur (Bereich):	-40°C ~ 175°C
Kollektor-Emitter-Spannung:	1200V
Gate - Emitter Spannung:	20V
Montage:	THT