IKW40N120H3
Symbol Micros:
TIKW40n120h3
Gehäuse: TO247
IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 483W; 5,0V~6,5V; 185nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IKW40N120H3FKSA1;
Parameter
| Gate-Ladung: | 185nC |
| Maximale Verlustleistung: | 483W |
| Max. Kollektor-Strom: | 80A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 160A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 5,0V ~ 6,5V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IKW40N120H3FKSA1
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
210 stk.
| Anzahl Stück | 30+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 3,0891 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IKW40N120H3FKSA1
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
142 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 4,3753 |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-03-13
Anzahl Stück: 30
| Gate-Ladung: | 185nC |
| Maximale Verlustleistung: | 483W |
| Max. Kollektor-Strom: | 80A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 160A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 5,0V ~ 6,5V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 175°C |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200V |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
| Montage: | THT |
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