IKW40N120H3
Symbol Micros:
TIKW40n120h3
Gehäuse: TO247
IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 483W; 5,0V~6,5V; 185nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IKW40N120H3FKSA1;
Parameter
Gate-Ladung: | 185nC |
Maximale Verlustleistung: | 483W |
Max. Kollektor-Strom: | 80A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 160A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 5,0V ~ 6,5V |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Gate-Ladung: | 185nC |
Maximale Verlustleistung: | 483W |
Max. Kollektor-Strom: | 80A |
Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 160A |
Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 5,0V ~ 6,5V |
Gehäuse: | TO247 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 175°C |
Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200V |
Gate - Emitter Spannung: | 20V |
Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole