IKW40N120H3

Symbol Micros: TIKW40n120h3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 483W; 5,0V~6,5V; 185nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IKW40N120H3FKSA1;
Parameter
Gate-Ladung: 185nC
Maximale Verlustleistung: 483W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 160A
Max. Kollektor-Strom: 80A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 5,0V ~ 6,5V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW40N120H3 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Nettopreis (EUR) 5,0509 4,6512 4,4043 4,2796 4,2091
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Standard-Verpackung:
30/90
Gate-Ladung: 185nC
Maximale Verlustleistung: 483W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 160A
Max. Kollektor-Strom: 80A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 5,0V ~ 6,5V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 175°C
Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT

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