IKW40N120H3
Symbol Micros:
TIKW40n120h3
Gehäuse: TO247
IGBT-Transistor ; 1200V; 20V; 80A; 160A; 483W; 5,0V~6,5V; 185nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IKW40N120H3FKSA1;
Parameter
| Gate-Ladung: | 185nC |
| Maximale Verlustleistung: | 483W |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 160A |
| Max. Kollektor-Strom: | 80A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 5,0V ~ 6,5V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IKW40N120H3 RoHS
Gehäuse: TO247
Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 90+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 5,0561 | 4,6560 | 4,4088 | 4,2841 | 4,2135 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IKW40N120H3FKSA1
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
7240 stk.
| Anzahl Stück | 240+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 4,2135 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IKW40N120H3FKSA1
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
211 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 4,2318 |
| Gate-Ladung: | 185nC |
| Maximale Verlustleistung: | 483W |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 160A |
| Max. Kollektor-Strom: | 80A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 5,0V ~ 6,5V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 175°C |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200V |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
| Montage: | THT |
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