IKW40N120T2

Symbol Micros: TIKW40n120t2

Gehäuse: TO247

Trans IGBT ; 1200V; 20V; 75A; 160A; 480W; 5,2V~6,4V; 192nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IKW40N120T2FKSA1;

Parameter

Gate-Ladung:	192nC
Maximale Verlustleistung:	480W
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	160A
Max. Kollektor-Strom:	75A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	5,2V ~ 6,4V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon Technologies

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW40N120T2 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt

Auf Lager:

25 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	25+	50+	100+
Nettopreis (EUR)	8,7161	7,1180	6,3923	6,2173	6,0944

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW40N120T2FKSA1 Gehäuse: TO247

Externes Lager:

190 stk.

Anzahl Stück	60+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	6,0944

Gate-Ladung:	192nC
Maximale Verlustleistung:	480W
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	160A
Max. Kollektor-Strom:	75A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	5,2V ~ 6,4V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon Technologies
Betriebstemperatur (Bereich):	-40°C ~ 175°C
Kollektor-Emitter-Spannung:	1200V
Gate - Emitter Spannung:	20V
Montage:	THT