IKW40N60DTPXKSA1 Infineon Technologies
Symbol Micros:
TIKW40n60dtp
Gehäuse: TO247
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 67A; 120A; 246W; 4,1V~5,7V; 177nC; -40°C~175°C;
Parameter
| Gate-Ladung: | 177nC |
| Maximale Verlustleistung: | 246W |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 120A |
| Max. Kollektor-Strom: | 67A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,1V ~ 5,7V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Gate-Ladung: | 177nC |
| Maximale Verlustleistung: | 246W |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 120A |
| Max. Kollektor-Strom: | 67A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,1V ~ 5,7V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 175°C |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
| Montage: | THT |
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