IKW50N60H3

Symbol Micros: TIKW50n60h3

Gehäuse: TO247

IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 100A; 200A; 333W; 4,1V~5,7V; 315nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IKW50N60H3FKSA1;

Parameter

Gate-Ladung:	315nC
Maximale Verlustleistung:	333W
Max. Kollektor-Strom:	100A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	200A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	4,1V ~ 5,7V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon Technologies

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW50N60H3 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt

Auf Lager:

24 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	30+	90+
Nettopreis (EUR)	2,9485	2,5343	2,2909	2,1716	2,1061

Gate-Ladung:	315nC
Maximale Verlustleistung:	333W
Max. Kollektor-Strom:	100A
Max. Kollektor-Strom im Impuls:	200A
Vorwärtsspannung [Vgeth]:	4,1V ~ 5,7V
Gehäuse:	TO247
Hersteller:	Infineon Technologies
Betriebstemperatur (Bereich):	-40°C ~ 175°C
Kollektor-Emitter-Spannung:	600V
Gate - Emitter Spannung:	20V
Montage:	THT