IKW50N60H3
Symbol Micros:
TIKW50n60h3
Gehäuse: TO247
IGBT-Transistor ; 600V; 20V; 100A; 200A; 333W; 4,1V~5,7V; 315nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IKW50N60H3FKSA1;
Parameter
| Gate-Ladung: | 315nC |
| Maximale Verlustleistung: | 333W |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 200A |
| Max. Kollektor-Strom: | 100A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,1V ~ 5,7V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IKW50N60H3FKSA1
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
693 stk.
| Anzahl Stück | 60+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,2362 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IKW50N60H3FKSA1
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
77 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 3,6516 |
| Gate-Ladung: | 315nC |
| Maximale Verlustleistung: | 333W |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 200A |
| Max. Kollektor-Strom: | 100A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,1V ~ 5,7V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 175°C |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
| Montage: | THT |
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