IKW50N60T
Symbol Micros:
TIKW50n60t
Gehäuse: TO247
Trans IGBT ; 600V; 20V; 80A; 150A; 333W; 4,1V~5,7V; 310nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IKW50N60TFKSA1; IKW50N60TAFKSA1;
Parameter
| Gate-Ladung: | 310nC |
| Maximale Verlustleistung: | 333W |
| Max. Kollektor-Strom: | 80A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 150A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,1V ~ 5,7V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IKW50N60T RoHS
Gehäuse: TO247
Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 100+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 5,9496 | 5,0086 | 4,4440 | 4,1617 | 3,9923 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IKW50N60T RoHS
Gehäuse: TO247
Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 30+ | 90+ | 180+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 5,9496 | 4,7545 | 4,2064 | 4,0535 | 3,9923 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IKW50N60TFKSA1
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
127 stk.
| Anzahl Stück | 60+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 3,9923 |
| Gate-Ladung: | 310nC |
| Maximale Verlustleistung: | 333W |
| Max. Kollektor-Strom: | 80A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 150A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,1V ~ 5,7V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 175°C |
| Gate - Emitter Spannung: | 20V |
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