IKW50N65H5

Symbol Micros: TIKW50n65h5
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
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Trans IGBT; 600V; 20V; 80A; 150A; 305W; 3,2V~4,8V; 120nC; -40°C~175°C; Äquivalent: IKW50N65H5FKSA1;
Parameter
Gate-Ladung: 120nC
Maximale Verlustleistung: 305W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 150A
Max. Kollektor-Strom: 80A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,2V ~ 4,8V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW50N65H5FKSA1 RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
101 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Nettopreis (EUR) 5,4207 4,5602 4,0401 3,7824 3,6382
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Standard-Verpackung:
30
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKW50N65H5FKSA1 Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
322 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 3,6382
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Gate-Ladung: 120nC
Maximale Verlustleistung: 305W
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 150A
Max. Kollektor-Strom: 80A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 3,2V ~ 4,8V
Gehäuse: TO247
Hersteller: Infineon Technologies
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 175°C
Kollektor-Emitter-Spannung: 600V
Gate - Emitter Spannung: 20V
Montage: THT

Symbol Micros

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