IKZ75N65EL5XKSA1

Symbol Micros: TIKZ75n65e
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
Trans IGBT Chip N-CH 650V 100A 536000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247
Parameter
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 536W
Gehäuse: TO247
Hersteller: INFINEON
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 175°C
Montage: THT
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IKZ75N65EL5XKSA1 Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
90 stk.
Anzahl Stück 30+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 5,0709
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 536W
Gehäuse: TO247
Hersteller: INFINEON
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 175°C
Montage: THT