IPA045N10N3GXKSA1
Symbol Micros:
TIPA045n10n3g
Gehäuse: TO220FP
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 7,7 mOhm; 64A; 39W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 7,7mOhm |
Max. Drainstrom: | 64A |
Maximaler Leistungsverlust: | 39W |
Gehäuse: | TO220FP |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IPA045N10N3GXKSA1 RoHS
Gehäuse: TO220FP
Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,6281 | 1,2973 | 1,1120 | 0,9970 | 0,9571 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IPA045N10N3GXKSA1
Gehäuse: TO220FP
Externes Lager:
500 stk.
Anzahl Stück | 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,9571 |
Widerstand im offenen Kanal: | 7,7mOhm |
Max. Drainstrom: | 64A |
Maximaler Leistungsverlust: | 39W |
Gehäuse: | TO220FP |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | THT |
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