IPA057N08N3G
Symbol Micros:
TIPA057n08n3g
Gehäuse: TO220iso
N-MOSFET-Transistor; 80V; 20V; 9,9 mOhm; 60A; 39W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IPA057N08N3GXKSA1;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 9,9mOhm |
| Max. Drainstrom: | 60A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 39W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 80V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IPA057N08N3GXKSA1
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
500 stk.
| Anzahl Stück | 500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7542 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IPA057N08N3GXKSA1
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
658 stk.
| Anzahl Stück | 150+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8686 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 9,9mOhm |
| Max. Drainstrom: | 60A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 39W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 80V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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