IPA083N10N5XKSA1

Symbol Micros: TIPA083n10n5
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220FP
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 11mOhm; 44A; 36W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 11mOhm
Max. Drainstrom: 44A
Maximaler Leistungsverlust: 36W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPA083N10N5XKSA1 RoHS Gehäuse: TO220FP Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,3986 1,0661 0,8838 0,7745 0,7358
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPA083N10N5XKSA1 Gehäuse: TO220FP  
Externes Lager:
488 stk.
Anzahl Stück 200+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,7358
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 11mOhm
Max. Drainstrom: 44A
Maximaler Leistungsverlust: 36W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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