IPA083N10N5XKSA1

Symbol Micros: TIPA083n10n5
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220FP
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 11mOhm; 44A; 36W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 11mOhm
Max. Drainstrom: 44A
Maximaler Leistungsverlust: 36W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPA083N10N5XKSA1 RoHS Gehäuse: TO220FP Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,4481 1,1038 0,9151 0,8019 0,7618
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPA083N10N5XKSA1 Gehäuse: TO220FP  
Externes Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,7618
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 11mOhm
Max. Drainstrom: 44A
Maximaler Leistungsverlust: 36W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT