IPA086N10N3GXKSA1

Name: TIPA086n10n3g TIPA086n10n3g
Brand: Infineon
SKU: TIPA086n10n3g
Price: 0.6336 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIPA086n10n3g

Gehäuse: TO220FP

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 15,4 mOhm; 45A; 37,5 W; -55 °C ~ 175 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	15,4mOhm
Max. Drainstrom:	45A
Maximaler Leistungsverlust:	37,5W
Gehäuse:	TO220FP
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPA086N10N3GXKSA1 RoHS Gehäuse: TO220FP Datenblatt

Auf Lager:

45 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,2033	0,9196	0,7612	0,6667	0,6336

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPA086N10N3GXKSA1 Gehäuse: TO220FP

Externes Lager:

5300 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6336

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPA086N10N3GXKSA1 Gehäuse: TO220FP

Externes Lager:

7320 stk.

Anzahl Stück	200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6336

Widerstand im offenen Kanal:	15,4mOhm
Max. Drainstrom:	45A
Maximaler Leistungsverlust:	37,5W
Gehäuse:	TO220FP
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT