IPA093N06N3GXKSA1

Symbol Micros: TIPA093n06n3g

Gehäuse: TO220FP

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 9,3 mOhm; 43A; 33W; -55 °C ~ 175 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	9,3mOhm
Max. Drainstrom:	43A
Maximaler Leistungsverlust:	33W
Gehäuse:	TO220FP
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	9,3mOhm
Max. Drainstrom:	43A
Maximaler Leistungsverlust:	33W
Gehäuse:	TO220FP
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT