IPA093N06N3GXKSA1

Symbol Micros: TIPA093n06n3g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220FP
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 9,3 mOhm; 43A; 33W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 9,3mOhm
Max. Drainstrom: 43A
Maximaler Leistungsverlust: 33W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPA093N06N3GXKSA1 Gehäuse: TO220FP  
Externes Lager:
396 stk.
Anzahl Stück 300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4429
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 9,3mOhm
Max. Drainstrom: 43A
Maximaler Leistungsverlust: 33W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole