IPA105N15N3GXKSA1

Symbol Micros: TIPA105n15n3g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220FP
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 11,1 mOhm; 37A; 40,5 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 11,1mOhm
Max. Drainstrom: 37A
Maximaler Leistungsverlust: 40,5W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPA105N15N3GXKSA1 RoHS Gehäuse: TO220FP Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 3,6317 3,0026 2,6316 2,4485 2,3429
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Standard-Verpackung:
10
Widerstand im offenen Kanal: 11,1mOhm
Max. Drainstrom: 37A
Maximaler Leistungsverlust: 40,5W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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