IPA180N10N3GXKSA1

Symbol Micros: TIPA180n10n3g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220FP
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 33mOhm; 28A; 30W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 33mOhm
Max. Drainstrom: 28A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPA180N10N3GXKSA1 RoHS Gehäuse: TO220FP Datenblatt
Auf Lager:
45 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,4625 1,1175 0,9249 0,8099 0,7700
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 33mOhm
Max. Drainstrom: 28A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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