IPA50R140CP
Symbol Micros:
TIPA50r140cp
Gehäuse: TO220iso
N-Channel-MOSFET-Transistor; 550V; 30V; 320 mOhm; 23A; 34W; -55 °C ~ 150 °C; Odpowiednik: IPA50R140CPXKSA1;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 320mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 34W |
| Max. Drainstrom: | 23A |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 550V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IPA50R140CP RoHS
Gehäuse: TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
12 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 100+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 3,3811 | 3,0074 | 2,7814 | 2,6684 | 2,6015 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IPA50R140CPXKSA1
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
2950 stk.
| Anzahl Stück | 500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,6015 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IPA50R140CPXKSA1
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
9100 stk.
| Anzahl Stück | 100+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,6015 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 320mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 34W |
| Max. Drainstrom: | 23A |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 550V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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