IPA50R140CP

Symbol Micros: TIPA50r140cp
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
N-Channel-MOSFET-Transistor; 550V; 30V; 320 mOhm; 23A; 34W; -55 °C ~ 150 °C; Odpowiednik: IPA50R140CPXKSA1;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 320mOhm
Max. Drainstrom: 23A
Maximaler Leistungsverlust: 34W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 550V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPA50R140CP RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
12 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 3,7254 3,3114 3,0640 2,9391 2,8651
Standard-Verpackung:
10
Widerstand im offenen Kanal: 320mOhm
Max. Drainstrom: 23A
Maximaler Leistungsverlust: 34W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 550V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT