IPA50R190CE

Symbol Micros: TIPA50r190ce
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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N-MOSFET 24.8A 500V 24.8W 0.19Ω IPA50R190CEXKSA2
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 190mOhm
Max. Drainstrom: 24,8A
Maximaler Leistungsverlust: 32W
Gehäuse: THT
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPA50R190CEXKSA2 Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
16700 stk.
Anzahl Stück 200+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,6331
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 190mOhm
Max. Drainstrom: 24,8A
Maximaler Leistungsverlust: 32W
Gehäuse: THT
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 150°C
Montage: THT

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