IPA50R199CP

Symbol Micros: TIPA50r199cp
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
N-Channel-MOSFET-Transistor; 550V; 30V; 450 mOhm; 17A; 139W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPA50R199CPXKSA1;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 450mOhm
Max. Drainstrom: 17A
Maximaler Leistungsverlust: 139W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 550V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPA50R199CP RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 2,7070 2,3387 2,1223 1,9865 1,9336
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 450mOhm
Max. Drainstrom: 17A
Maximaler Leistungsverlust: 139W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 550V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT