IPA60R099C7XKSA1
Symbol Micros:
TIPA60r099c7
Gehäuse: TO220iso
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 99mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 278W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IPA60R099C7XKSA1
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
171 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,8135 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IPA60R099C7XKSA1
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
220 stk.
| Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,0750 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 99mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 278W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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