IPA60R099C7XKSA1

Symbol Micros: TIPA60r099c7
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 99mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 278W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPA60R099C7XKSA1 Gehäuse: TO220iso  
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171 stk.
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Nettopreis (EUR) 2,9440
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Standard-Verpackung:
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Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 99mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 278W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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