IPA60R099P6XKSA1

Symbol Micros: TIPA60r099p6

Gehäuse: TO220FP

N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 232 mOhm; 37,9A; 34W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	232mOhm
Max. Drainstrom:	37,9A
Maximaler Leistungsverlust:	34W
Gehäuse:	TO220FP
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	650V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPA60R099P6XKSA1 Gehäuse: TO220FP

Externes Lager:

1232 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,6371

Widerstand im offenen Kanal:	232mOhm
Max. Drainstrom:	37,9A
Maximaler Leistungsverlust:	34W
Gehäuse:	TO220FP
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	650V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT