IPA60R099P6XKSA1

Symbol Micros: TIPA60r099p6
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220FP
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 232 mOhm; 37,9A; 34W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 232mOhm
Max. Drainstrom: 37,9A
Maximaler Leistungsverlust: 34W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 232mOhm
Max. Drainstrom: 37,9A
Maximaler Leistungsverlust: 34W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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