IPA60R160P6

Symbol Micros: TIPA60r160p6
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Gehäuse: TO220iso
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N-MOSFET 23.8A 600V 34W 0.16Ω IPA60R160P6XKSA1
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 160mOhm
Max. Drainstrom: 23,8A
Maximaler Leistungsverlust: 34W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPA60R160P6XKSA1 Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
1500 stk.
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Nettopreis (EUR) 0,9406
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Standard-Verpackung:
500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 160mOhm
Max. Drainstrom: 23,8A
Maximaler Leistungsverlust: 34W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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