IPA60R160P6

Symbol Micros: TIPA60r160p6
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
N-MOSFET 23.8A 600V 34W 0.16Ω IPA60R160P6XKSA1
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 160mOhm
Max. Drainstrom: 23,8A
Maximaler Leistungsverlust: 34W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 160mOhm
Max. Drainstrom: 23,8A
Maximaler Leistungsverlust: 34W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT