IPA60R190C6

Symbol Micros: TIPA60r190c6
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 440 mOhm; 20,2A; 151W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPA60R190C6XKSA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 440mOhm
Max. Drainstrom: 20,2A
Maximaler Leistungsverlust: 151W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPA60R190C6 RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 2,9942 2,5863 2,3482 2,1950 2,1384
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 440mOhm
Max. Drainstrom: 20,2A
Maximaler Leistungsverlust: 151W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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