IPA60R190C6
Symbol Micros:
TIPA60r190c6
Gehäuse: TO220iso
N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 440 mOhm; 20,2A; 151W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPA60R190C6XKSA1;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 440mOhm |
| Max. Drainstrom: | 20,2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 151W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IPA60R190C6 RoHS
Gehäuse: TO220iso
Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,9379 | 2,5377 | 2,3041 | 2,1537 | 2,0982 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IPA60R190C6XKSA1
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
122 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,1239 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IPA60R190C6XKSA1
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
2266 stk.
| Anzahl Stück | 100+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,0982 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 440mOhm |
| Max. Drainstrom: | 20,2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 151W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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