IPA60R199CPXKSA1

Symbol Micros: TIPA60r199cp
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 490 mOhm; 16A; 34W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 490mOhm
Max. Drainstrom: 16A
Maximaler Leistungsverlust: 34W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPA60R199CPXKSA1 Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
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Nettopreis (EUR) 1,4993
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 490mOhm
Max. Drainstrom: 16A
Maximaler Leistungsverlust: 34W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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