IPA60R199CPXKSA1

Symbol Micros: TIPA60r199cp

Gehäuse: TO220iso

N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 490 mOhm; 16A; 34W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	490mOhm
Max. Drainstrom:	16A
Maximaler Leistungsverlust:	34W
Gehäuse:	TO220iso
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	650V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	490mOhm
Max. Drainstrom:	16A
Maximaler Leistungsverlust:	34W
Gehäuse:	TO220iso
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	650V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT