IPA60R280C6

Symbol Micros: TIPA60r280c6
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 660 mOhm; 13,8A; 104 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPA60R280C6XKSA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 660mOhm
Max. Drainstrom: 13,8A
Maximaler Leistungsverlust: 104W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPA60R280C6 RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 2,2033 1,7494 1,5792 1,4941 1,4681
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Standard-Verpackung:
20
Widerstand im offenen Kanal: 660mOhm
Max. Drainstrom: 13,8A
Maximaler Leistungsverlust: 104W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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