IPA60R380P6

Symbol Micros: TIPA60r380p6

Gehäuse: TO220iso

N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 889 mOhm; 10,6A; 83W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPA60R380P6XKSA1;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	889mOhm
Max. Drainstrom:	10,6A
Maximaler Leistungsverlust:	83W
Gehäuse:	TO220iso
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	650V
Max. Gate-Source Spannung:	30V

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPA60R380P6XKSA1 RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt

Auf Lager:

10 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	0,9044	0,6629	0,5331	0,4556	0,4306

Widerstand im offenen Kanal:	889mOhm
Max. Drainstrom:	10,6A
Maximaler Leistungsverlust:	83W
Gehäuse:	TO220iso
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	650V
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT