IPA60R380P6

Symbol Micros: TIPA60r380p6
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 889 mOhm; 10,6A; 83W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPA60R380P6XKSA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 889mOhm
Max. Drainstrom: 10,6A
Maximaler Leistungsverlust: 83W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPA60R380P6XKSA1 RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 2,2142 1,8029 1,5655 1,4503 1,3845
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Standard-Verpackung:
10
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPA60R380P6XKSA1 Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
850 stk.
Anzahl Stück 300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,3845
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 889mOhm
Max. Drainstrom: 10,6A
Maximaler Leistungsverlust: 83W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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