IPA60R600P7XKSA1

Symbol Micros: TIPA60r600p7
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
600V CoolMOS P7 Power Transistor
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 600mOhm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 21W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 600mOhm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 21W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT