IPA60R600P7XKSA1

Symbol Micros: TIPA60r600p7
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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600V CoolMOS P7 Power Transistor
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 600mOhm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 21W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPA60R600P7XKSA1 Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
1700 stk.
Anzahl Stück 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4875
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 600mOhm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 21W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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