IPA60R950C6XKSA1

Symbol Micros: TIPA60r950c6
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220FP
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 2,22 Ohm; 4,4A; 26W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,22Ohm
Max. Drainstrom: 4,4A
Maximaler Leistungsverlust: 26W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPA60R950C6XKSA1 RoHS Gehäuse: TO220FP Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,1729 0,8609 0,6896 0,5911 0,5583
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 2,22Ohm
Max. Drainstrom: 4,4A
Maximaler Leistungsverlust: 26W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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