IPA80R650CEXKSA2

Symbol Micros: TIPA80r650ce
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 650mOhm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 33W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPA80R650CEXKSA2 Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
658 stk.
Anzahl Stück 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,5143
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 650mOhm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 33W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 150°C
Montage: THT

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