IPA80R650CEXKSA2
Symbol Micros:
TIPA80r650ce
Gehäuse: TO220iso
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 650mOhm |
| Max. Drainstrom: | 8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 33W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IPA80R650CEXKSA2
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
850 stk.
| Anzahl Stück | 200+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7305 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 650mOhm |
| Max. Drainstrom: | 8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 33W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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