IPA90R800C3XKSA1

Symbol Micros: TIPA90r800c3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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Trans MOSFET N-CH 900V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 800mOhm
Max. Drainstrom: 6,9A
Maximaler Leistungsverlust: 33W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPA90R800C3XKSA2 Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,7501
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 800mOhm
Max. Drainstrom: 6,9A
Maximaler Leistungsverlust: 33W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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